Писатель Афанасий Фет: биография и библиография.
Афанасий Афанасьевич Фет родился 23 ноября (5 декабря по григорианскому календарю) 1820 года во Мценском уезде Орловской губернии, в усадьбе Новосёлки. История появления его на свет необычна. Его отчимом считался богатый русский помещик Шеншин Афанасий Неофитович. Будучи ротмистром в отставке, он отдыхал в Дармштадте, где сошёлся с матерью Фета и увёз её в Россию от первого мужа и первого ребёнка, беременную на седьмом месяце. Считается, что настоящий законный отец Фета – Иоганн-Карл-Вильгельм Фет из Дармштадта, а мать – Шарлотта-Елизавета Беккер. Мальчика крестили по православному обряду, Шеншин записал его своим сыном. Когда мальчику было 14 лет, обнаружилось, что юридические документы об усыновлении его помещиком Шеншиным незаконны, поэтому он не может претендовать на имя и богатое наследство отчима. Также он был лишён всех привилегий потомственного дворянина. Весь свой жизненный путь Фет в дальнейшем посвятил возврату утраченного имени и добился в конце концов звания камергера в 1888 году.
День, когда ему возвратили фамилию Шеншин, Фет считал счастливейшим в его жизни.
Фет принял как позор лишение его имени, ведь Шеншин венчался с его матерью в 1822 году. Перед венчанием Беккер приняла православие, она стала называться Елизаветой Петровной Фет. У них были ещё дети – дочь Анна, дочь Люба и сын Василий, которые умерли в младенчестве. Мать Фета пыталась добиться усыновления сына Афанасия первым мужем, но тот поставил условием оплату его долгов. Он не признал сына и не оставил ему наследства. Таким образом, Фет остался незаконным ребёнком без имени.
Сначала он получил домашнее образование, затем его отдали в немецкую школу-пансионат в городе Верро Лифляндской губернии, нынешний город Выру (Эстония). Затем Фета привезли в Москву и определили в пансионат профессора Пагодина, чтобы подготовить к поступлению в Московский университет, это было в 1837 году. Пагодин был историком, писателем и известным журналистом. Фет поступил на историко-филологический факультет в Московский университет.
Студенческие годы Фет провёл в семье своего товарища Аполлона Григорьева, где проживал почти всё время обучения в университете. Аполлон Григорьев, будущий литературный критик, оказал большое влияние на его поэтическое творчество. В 1840 году выходит книга стихов Фета, этот литературный псевдоним он оставил себе на всю жизнь. Книга стихов называлась «Лирический пантеон А.Ф.». На поэзию Фета первоначально оказал влияние Гейне. В 1850 году он опубликовал второй сборник стихотворений, который имел большой успех. Этот сборник, который назывался «Стихотворения», открыл Фету доступ в Петербургский кружок авторов журнала Современник. Фет познакомился в Петербурге с писателями Тургеневым и Толстым, Дружининым, Некрасовым, Панаевым и Григоровичем. Там же Фет познакомился с В.П.Боткиным, богатым торговцем чаем.
Желание добыть себе дворянское звание побудило Фета перейти на военную службу. В 1853 году он поступил в уланский полк, который во время крымской компании охранял побережье Эстляндии.
Дослужившись до звания штаб-ротмистра, как и его отчим, Фет вынужденно вышел в отставку, но дворянства так и не получил. Дворянский ценз всё время повышался во время его службы, право на дворянство стал давать только чин полковника.
Фет пережил трагическую любовь во время военной службы к девушке, на которой не смог жениться по причине своей бедности и неустроенности. Эта любовь была к Марии Лазич, одной из поклонниц его поэзии, вскоре девушка трагически погибла. В 1853 году Фета перевели в полк, который стоял вблизи Петербурга. В 1857 году Фет женился на дочери Боткина В.П., своего большого почитателя. Женитьба на Боткиной дала Фету материальную независимость. Фет стал регулярно печататься и брал за свои литературные труды большую цену, но сердце его было ожесточено борьбой за существование и социальной неустроенностью. Он стал тяжёлым в общении человеком и поселился безвылазно в своём имении во Мценском уезде.
Фет поражал своих современников тем, что, будучи столь утончённым лирическим поэтом, он стал очень предприимчивым помещиком и нажил большое состояние.
Фет был представителем «чистой поэзии» – это лирика о любви и природе. По политическим убеждениям он был консерватором и монархистом. Фет вернул себе дворянское звание и купил особняк в Москве. Вернувшись в Москву, он вновь стал писать, это было после 1880 года, когда он сблизился вновь со своими старыми друзьями-литераторами.
Его физическое состояние в это время стало невыносимым, Фет страдал от болей и астмы, стал терять зрение. Он скончался от апоплексического удара, который произошёл после неудавшегося самоубийства 3 декабря 1892 года в Москве.
главное о жизни и смерти (школьникам и студентам)
Рейтинг писателя:
Имя этого писателя многие запоминают еще в школе: еще бы, такое сочетание буквы «ф»! Это имя действительно необычное и оно вполне соответствует выдающейся литературной карьер А. А. Фета. Сегодня мы как раз о ней и поговорим, а также узнаем детали биографии русского классика и его самые известные произведения.
О да! Это мое любимое занятие )))
20.
91%
Читаю иногда, но есть вещи куда интереснее…
43.96%
Фу, не люблю
27.16%
Книги — а что это вообще такое?
7.97%
Проголосовало: 24520
Сохрани этот сайт в закладки и поделись с друзьями в соцсетях! Портал «Знания!» — твой верный помощник в обучении 🙂
Содержание
- Краткая биография
- Детство
- Эпоха и нравы
- Окружение
- Деятельность и интересы
- Интересные истории из жизни
- Главные произведения
Краткая биография
Прежде всего, как обычно, обратимся к хронологической таблице.
| Годы | События |
| 1820 | Афанасий Афанасьевич родился в декабре, на территории Орловской Губернии. Его отец, А. Н. Шеншин, был представителем известной дворянской фамилии, а мать – недавно переехавшей немкой. |
| 1834 | Когда Афанасию было 14 лет, его лишили дворянского статуса. Запись о его крещении под фамилией отца была отменена, и вместо этого его записали под именем первого мужа матери, немца по фамилии Foeth. Это событие наложило сильный отпечаток на формирование характера будущего писателя. |
| 1835-1837 | Фет обучался в немецком пансионе в городе Верро (сейчас это уже эстонский город). Именно в возрасте пятнадцати-семнадцати лет он начинает увлекаться литературой, филологией и написанием стихотворений. |
| 1838-1844 | Фет поступает в Московский университет и начинает активно заниматься творчеством. |
| 1840 | Публикуется первый сборник стихов, написанных Фетом. |
| 1845 | После окончания университета Афанасий Афанасьевич оказался в сложном положении. Он не имел дворянских привилегий, а творческие работы почти не приносили дохода. Поэтому Фет поступает на военную службу, а еще через год он получает первое офицерское звание. |
| 1850 | Выходит в свет второй сборник стихов, который встретили положительно. Хорошие отзывы были размещены в нескольких популярных изданиях, включая «Современник» и «Отечественные записки». |
| 1853 | Фета переводят в гвардейский полк, и он начинает служить под Петербургом. Там он сближается с известными писателями, которые работают в журнале «Современник» (Тургенев, Некрасов, Гончаров). |
| 1856 | Выходит третий сборник произведений Фета, уже под редакцией И. С. Тургенева. |
| 1857 | Афанасий Афанасьевич женится, а еще через год уходит в отставку и переезжает в Москву. |
| 1860 | В возрасте сорока лет Фет становится преуспевающим помещиком. Его имение процветает и приносит очень хороший доход. |
| 1863 | Издается собрание сочинений Фета в двух томах. |
| 1867 | Афанасий Афанасьевич избирается мировым судьёй в Мценском уезде на следующие 11 лет. |
| 1873 | Писатель возвращает себе дворянский чин и фамилию отца Шеншин. |
| 1892 | В возрасте 71 года Афанасий Афанасьевич скончался от сердечного приступа. |
Для Фета возвращение дворянства, отобранного у него в совсем юном возрасте, стало делом всей жизни. И он достиг своей цели только благодаря упорному труду, образованности и творческим достижениям. Последние 19 лет своей жизни Афанасий Афанасьевич считался дворянином, а ненавистную фамилию Фет запретил упоминать. Однако он помнил, что именно это имя принесло успех его творчеству, и свои работы подписывал также, как и раньше.
Детство
Афанасий Афанасьевич родился в 1820 году на территории Российской империи. Союз его родителей был нестандартным. Его отец, Афанасий Шеншин, принадлежал к известному дворянскому роду, а его мать была немкой по имени Шарлотта-Елизавета (в Российской империи она получила имя Елизавета Петровна). У нее был первый брак г с человеком по фамилии Фет (Foeth) в Германии и дочь.
Когда Афанасий Афанасьевич родился, он получил фамилию русского помещика, так как тот признал его своим сыном. Однако вопрос о настоящем отцовстве не закрыт до сих пор: одни источники утверждают, что Елизавета Петровна в 1820-ом году родила сына от еще своего первого мужа, другие – что настоящим отцом будущего писатели был все-таки Шеншин.
А это интересно! 😉Эта неизвестность в дальнейшем сильно повлияла на жизнь Афанасия Афанасьевича.
Дело в том, что союз Шеншина и фрау Фет не имел законной силы на территории Российской империи (у них было только лютеранское благословление, а в законный брак они вступили уже после 1820-го года). Поэтому признать Афанасия Афанасьевича официально сыном Шеншина было невозможно. Для того, чтобы это сделать и дать мальчику дворянским титул вместе со своей фамилий, Шеншин подкупил священника.
14 лет Афанасий Афанасьевич считался дворянином. Он рос в богатом доме помещика, в большой и любящей семье, уверенный, что он – привилегированный член российского общества. Однако в 1834 году обман раскрылся. Неожиданно для самого себя будущий писатель стал Фетом, а все наследственные права и титул потерял. Для того, чтобы снова его завоевать, ему нужно было отметиться выдающимися заслугами перед отечеством, и это определило весь его дальнейший жизненный путь.
Эпоха и нравы
Интересно, что творчество А.
А. Фета не вписывалось в общее настроение эпохи. Для середины XIX века была характерна критика общественного уклада, желание дать крестьянам свободу, борьба с всеобщим бесправием. Этому влиянию было подвержено и популярное творчество: ему необходим был девиз вроде «польза, дело, практика».
В работах Фета этого же не было. Свои стихотворение он писал в духе лирики. Афанасия Афанасьевича больше заботили возвышенные чувства, романтика, особенная ностальгическая атмосфера – он бесконечно восхищался тем, как красив мир вокруг него, как прекрасна природа. Возникало ощущение, что его творчество было создано для людей с тонкой душевной организацией, для тех, кому чужды мирские проблемы. Николай Некрасов отмечал, что стихотворения Фета созданы для истинного поэтического наслаждения, но никак не для борьбы с угнетением и крепостным правом.
Окружение
Афанасий Афанасьевич активно общался с выдающимися писателями XIX века. В его близком окружении были Л. Н. Толстой, Н. А. Некрасов, И.
А. Гончаров, И. С. Тургенев (под его редакцией даже вышел один из сборников произведений Фета). Интересно, что, несмотря на дружбу с последним, Фет немного завидовал Тургеневу. Он неоднократно сетовал на то, что защитник парижского населения Иван Сергеевич признается патриотом и имеет дворянский титул, в то время как добросовестные усилия помещика-Фета так и не были оценены. Впрочем, терпение и упорство сделали свое дело: в 52 года Афанасий Афанасьевич снова стал Шеншиным и вернул себе дворянство.
Деятельность и интересы
Афанасия Афанасьевича Фета часто называют писателем-агрономом или писателем-помещиком. После сорока лет он действительно оставил военную службу, женился, и можно сказать, что остепенился.
Фет купил первое свое имение в 1860 году, оно находилось в Орловской губернии – в том же регионе, где писатель родился. Благодаря упорному труду дела у него пошли хорошо. Афанасий Афанасьевич возделывал землю, растил зерновые культуры, запустил конный завод, держал скот.
У него даже была собственная пасека и пруд, где разводились рыбы. Такое масштабное хозяйство требовало предприимчивости и деловитости: этими качествами Фет, к удивлению многих, как раз обладал. Деловая хватка никак не вязалась с лирическими настроениями и образами, преобладающими в творчестве Фета, но, тем не менее, сам он был таков. Через несколько лет он начал получать очень хорошую прибыль и сколотил себе состояние.
В 1867 году его избрали местным мировым судьёй. Это показало высокий уровень доверия к нему у жителей Орловской губернии: они посчитали Фета достаточно справедливым и образованным.
Еще через несколько лет, в 1873 году, Фет вернул себе дворянский чин, без которого прожил тридцать девять лет. Большое значение для этого имело его богатство, которое он приобрел в ходе своего неустанного труда в поместье. Кроме того, отмечались творческие заслуги Афанасия Афанасьевича и его добросовестная военная служба.
Интересные истории из жизни
Несколько интересных фактов из жизни А.
А. Фета:
- Афанасий Афанасьевич менял фамилию целых три раза! Урожденный Шеншин, в 14 лет он стал Фётом (от немецкой фамилии Feoth, которую носил первый муж его матери). Потом, во время издания первого сборника стихов юного поэта, его фамилию записали как Фет. Именно под ней он наиболее известен. В 1873 году, вновь получив дворянский титул, Афанасий Афанасьевич снова стал Шеншиным.
- После возвращения дворянства он запретил близким когда-либо упоминать при нем ненавистную фамилию Фет. Однако он продолжил подписывать ей свои творческие работы, понимая, что именно она принесла ему признание.
- Фет никогда не стремился стать военным, его больше привлекала филология и литература. Однако он пошел на службу для того, чтобы получить офицерское звание и стать уважаемым членом общества, ведь у него была главная цель в жизни – вернуть себе дворянство и фамилию отца.
- Первая возлюбленная Фета трагически погибла от ожогов, когда на ее платье попала спичка. Их соединяло очень страстное чувство и желание быть вместе, но этого так и не произошло.
Писатель на тот момент просто не мог позвать ее замуж, так как он не был богат, да и у несостоявшейся невесты не было приданого. Всю свою жизнь Афанасий Афанасьевич винил себя в ее смерти. - В итоге он женился на Марие Боткиной, которая была намного старше, но зато имела состояние. Страсти и сильной любви между ними не было, но с помощью ее богатства Фет мог вернуть себе дворянский титул. Однако жили они неплохо и достигли взаимного уважения, благодаря чему их союз все же вышел счастливым.
В течение всей жизни А. А. Фета преследовали неудачи: отмена дворянства, гибель возлюбленной, женитьба без любви, отсутствие успеха в литературе. Однако все преграды он преодолевал стойко и не переставал трудиться. В итоге он добился больших успехов: снова стал дворянином, достиг взаимоуважения и взаимопонимания с женой, поместье стало приносить отличный доход, а творчество получило всероссийское признание. Всего этого ему удалось добиться только благодаря недюжинной работоспособности: вместо того, чтобы сожалеть о печальных событиях в своей жизни, Фет строил собственное счастье.
Главные произведения
Авторству Афанасия Афанасьевича Фета принадлежат такие известные стихотворения, как «Угасшим звездам», «Шепот, робкое дыханье…», «Сияла ночь. Луной был полон сад. Лежали…», «Деревня» и другие. Со многими строками мы знакомимся еще в школе: слушаем комментарии учителя, учим стихотворения наизусть, стараемся рассказать у доски с чувством… и забываем эти строчки на следующий же день после того, как получим оценку.
Конечно, в период юности быстро находятся новые знания и впечатления, которые вытесняют то, что мы учили для уроков литературы. И, признаться откровенно, для многих из нас она не была приоритетным предметом, поэтому мы не уделяли ей должного внимания и не позволяли удивительному миру творчества увлечь нас. Но в уже более зрелом возрасте мы рекомендуем всем вернуться к тем произведениям, которые мы изучали в школе. В том числе – и к стихотворениям Афанасия Афанасьевича Фета. Изучив их более детально, можно проникнуться особой атмосферой и чувствами, которые хотел показать автор, ощутить романтику и ностальгию, присутствующие в его творчестве.
Это позволит немного по-другому посмотреть и на мир вокруг нас, чтобы научиться ценить те моменты, которые мы в вечной жизненной спешке можем просто проглядеть.
Что ты чувствуешь по отношению к школе?
Tina Fey — IMDb
- Biography
- Awards
- Trivia
IMDbPro
- Writer
- Actress
- Producer
Play clip1
:
36
Tina Fey | IMDb Supercut
99+ Видео
99+ Фото
Элизабет Стаматина Фей родилась в 1970 году в Верхнем Дарби, Пенсильвания, только что
к западу от Филадельфии, в Ксенобию «Жанна» (Ксенакес), брокерскую контору
сотрудник, и Дональд Генри Фей, написавший заявки на гранты для университетов.
Ее мать гречанка, родилась в Пирее, а ее отец имел немецкие, северные ирландские и английские корни. Под именем Тина Фей считала себя «суперботаником».
ее школьные и студенческие годы. Она изучала драму в университете
Вирджинии, а после окончания в 1992, она направилась в Чикаго,
прародина американской комедии. Во время работы в YMCA для поддержки
сама она начала первый набор курсов Second City. Примерно после
девять месяцев учитель сказал ей просто пропустить вперед и пройти прослушивание для участия в конкурсе.
более избирательный Второй Городской Учебный Центр. Она потерпела неудачу, но около восьми
несколько недель спустя она прошла повторное прослушивание и попала в годовую программу. Она
закончил тем, что провел много лет во Втором Городе в Чикаго, где многие
Актеры SNL впервые начали. Затем в 1995,
Субботним вечером в прямом эфире (1975)
пришел в актерский состав «Второго города», включая друга Фей,
Адам Маккей, как писатель, ищет
для новых талантов. Они нашли Тину Фей. Когда Адам стал главой
писатель, он предложил Фей отправить пакет представления по
лето с шестью этюдами по 10 страниц каждый.
BornMay 18, 1970
- More at IMDbPro
- Won 9 Primetime Emmys
- 56 wins & 148 nominations total
Amy Poehler and Tina Fey Make ‘Wine Country’ Pairings
Amy Poehler and Tina Fey Make ‘Wine Country’ Pairings
Wine Country 9Звезды 0054 Эми Полер, Тина Фей, Майя Рудольф, Рэйчел Дрэтч, Ана Гастейер и Паула Пелл выбирают названия из фильмографии своих коллег, чтобы сочетать их со своей новой комедией Netflix.
Watch Now
Photos961
Videos215
Клип 2:53
Лучшие моменты из Golden Globes 2021 Telecast
Clip 2:39
Angela Bassett, Jamie Foxx и Tina Fey Share ‘
Клип 2:09
Джейми Фокс и Тина Фей делятся взаимной импровизацией Уважение, раскрывают комедийное вдохновение
Клип 3:16
Самые ожидаемые фильмы и сериалы, которые будут транслироваться в декабре
Клип 1:36
Тина Фей | IMDb Supercut
Клип 0:48
«Дважды в неделю» из Date Night
Клип 3:06
«Встреча Холбрука» из Date Night
Клип 1:43
«Dinner Story» из Date Night 9001
Клип 0:33
Изобретение лжи: «Есть сообщения?»
Зажим 1:52
Поньо — «Рыба из воды»
Клип 1:42
Поньо – «Неожиданная находка»
Интервью 2:18
Звезды «Винной страны» рассказывают о ролях, которыми гордятся их мамы
Личные данные 51
0 Знаете ли вы
30 Rock
(
2006
)
$ 300 000 /Эпизод (2009-10)
Связанные новости
.
Внесите на это страницуПредложите издание или добавление пропущенного содержания
.0010
Еще для изучения
Недавно просмотренные
У вас нет недавно просмотренных страниц аналитическое моделирование полевого транзистора с двойным затвором с диэлектрической модуляцией (DM-DGFET) для применения в биосенсорах представлено с обширным анализом данных. Во-первых, размер нанопромежутков и расположение биомолекул в этих промежутках оптимизированы с учетом чувствительности вышеуказанного датчика. Затем оптимизированный DM-DGFET анализируется на основе его моделирования и симуляции. В этой статье рассматриваются новые вопросы, связанные с расположением биомолекул, особенно с практической точки зрения. Также учитывается влияние размещения зонда из-за стерических затруднений и случайного характера биомолекул. Моделируются емкости, связанные с нанозазорами, занятыми биомолекулами, в соответствии с различными схемами. Выражения порогового напряжения, тока стока и его чувствительности в терминах изменений также получены с использованием емкостной модели.
Скачайте, чтобы прочитать полный текст статьи
Наличие данных и материалов
Авторы не желают раскрывать данные и материалы, относящиеся к данному исследованию, так как данная работа является частью диссертации.
Ссылки
Oh SW, Moon JD, Lim HJ, Park SY, Kim T, Park JB, Han MH, Snyder M, Choi EY (2005) Производное каликсарена как инструмент для высокочувствительного обнаружения и ориентированной иммобилизации белков в формате микрочипа за счет нековалентного молекулярного взаимодействия.
Журнал FASEB 19(10): 1355–1337. https://doi.org/10.1096/fj.04-2098fjeСтатья КАС Google ученый
Драммонд Т.Г., Хилл М.Г., Бартон Дж.К. (2003) Электрохимические датчики ДНК. Природная биотехнология 21 (10): 1192–1199. https://doi.org/10.1038/nbt873
Статья КАС пабмед Google ученый
Fritz J, Baller MK, Lang HP, Rothuizen H, Vettiger P, Meyer E, Güntherodt HJ, Gerber C, Gimzewski JK (2000) Перевод биомолекулярного распознавания в наномеханику. Наука 288 (5464): 316–318. https://doi.org/10.1126/science.288.5464.316
Артикул КАС пабмед Google ученый
Huang X-J, Choi Y-K, Im HS, Yarimaga O, Yoon E, Kim HS (2006) Методы обнаружения аспартатаминотрансферазы (AST/GOT) и аланинаминотрансферазы (ALT/GPT). Датчики Basel Sensors 6(7):756–782
Артикул КАС Google ученый
«>Чен С., Бомер Дж. Г., Карлен Э. Т., ван ден Берг А. (2011) Al2O3/кремний NanoISFET с почти идеальным нернстовским откликом. Нано Письма 11: 2334–2241. https://doi.org/10.1021/nl200623n
Статья КАС пабмед Google ученый
Кнопфмахер О., Тарасов А., Фу В., Випф М., Нисен Б., Каламе М., Шёненбергер С. (2010) Предел Нернста в двухзатворных синанопроводных полевых транзисторах. Нано Письма 10 (6): 2268–2274. https://doi.org/10.1021/nl100892 года
Артикул КАС пабмед Google ученый
Spijkman MJ, Brondijk JJ, Geuns TCT, Smits ECP, Cramer T, Zerbetto F, Stoliar P, Biscarini F, Blom PWM, de Leeuw DM (2010) Органические полевые транзисторы с двойным затвором в качестве потенциометрических датчиков в водной среде решение.
Передовые функциональные материалы 20: 898–905. https://doi.org/10.1002/adfm.2000
Статья КАС Google ученый
Хамаиси Б., Вакнин О., Шая О., Ашкенаси Н. (2010) Электрические характеристики полевых транзисторов кремний-на-изоляторе с несколькими органическими слоями верхнего затвора в растворе электролита. АСУ Нано 4(8):4601–4608. https://doi.org/10.1021/nn100936h
Статья КАС пабмед Google ученый
Duarte-Guevara C, Lai F-L, Cheng C-W, Reddy B Jr, Salm E, Swaminathan V, Tsui Y-K, Tuan HC, Kalnitsky A, Liu Y-S, Bashir R (2014) Улучшенное биосенсорное разрешение с литейным производством с индивидуальной адресацией ISFET с двойным затвором. Аналитическая химия 86(16):8359–8367. https://doi.org/10.1021/ac501912x
Статья КАС пабмед Google ученый
«>1m H, Huang X-1, Gu B, Choi YK, (2007) Полевой транзистор с диэлектрической модуляцией для биосенсоров. Природа Нанотехнологии 2(7):430–434
Krahne R et al (2003) Наночастицы и нанозазоры: контролируемое размещение и изготовление. Physica E 17:498–502
Статья КАС Google ученый
Икбал С.М., Баласундарам Г., Гош С., Бергстром Д.Е., Башир Р. (2005) Электрические характеристики двухцепочечной ДНК в нанощелевых соединениях на постоянном токе. Applied Physics Letters 86:153901–153903
Статья Google ученый
«>Lazzarino M et al (2006) Двойные кантилеверы с нанозазором для экспериментов с одной молекулой. Микроэлектроника 83:1309–1311
Статья КАС Google ученый
Yi MQ, Jeong KH, Lee LP (2005) Теоретическое и экспериментальное исследование диэлектрического биосенсора с нанощелью. Биосенсоры и биоэлектроника 20:1320–1326
Статья КАС пабмед Google ученый
Наранг Р., Гупта М., Саксена М., Гупта Р.С. (2012) Аналитическая модель биосенсора на полевых транзисторах с двойным затвором с диэлектрической модуляцией (DM-DG-FET).
В: Международная конференция по новой электронике, 2012 г., Мумбаи, стр. 1–4 9.0011Наранг Р., Редди КВС, Саксена М., Гупта Р.С., Гупта М. (2012) Биосенсор на основе туннельного полевого транзистора с диэлектрической модуляцией для обнаружения без меток: аналитическое моделирование и анализ чувствительности. Транзакции IEEE на электронных устройствах 59 (10): 2809–2817. https://doi.org/10.1109/TED.2012.2208115
Статья Google ученый
Наранг Р., Саксена М., Гупта М. (2015) Сравнительный анализ полевого транзистора с диэлектрической модуляцией и биосенсора на основе полевого транзистора. IEEE Transactions on Nanotechnology 14(3):427–435. https://doi.org/10.1109/ТНАНО.2015.2396899
Артикул КАС Google ученый
Чой Дж., Хан Дж., Чой С., Чой Й. (2010) Аналитическое моделирование полевого транзистора со встроенным нанозазором для применения в качестве биосенсора.
Транзакции IEEE на электронных устройствах 57 (12): 3477–3484. https://doi.org/10.1109/TED.2010.2076152Статья КАС Google ученый
Бхаттачарья А., Чанда М., Де Д. (2019 г.) Оценка производительности нового биосенсора на основе полевого транзистора с вертикальной гетероструктурой с двумя карманами с учетом проблемы стерических помех. Транзакции IEEE на электронных устройствах 66 (9): 3988–3993. https://doi.org/10.1109/TED.2019.2928850
Статья КАС Google ученый
Syu Y-C, Hsu WE, Lin CT (2018) Обзор биосенсоров на полевых транзисторах: устройства и клиническое применение. ECS Journal of Solid State Science and Technology 7 (7): 3196–3207
Артикул Google ученый
Young KK (1989) Эффект короткого канала в полностью разряженных КНИ МОП-транзисторах.
Транзакции IEEE на электронных устройствах 36 (2): 399–402. https://doi.org/10.1109/16.19942Статья Google ученый
Kang H, Han J, Choi Y (2008) Аналитическая модель порогового напряжения для полевых МОП-транзисторов с двойным затвором и локализованными зарядами. Буквы электронных устройств IEEE 29(8): 927–930. https://doi.org/10.1109/LED.2008.2000965
Статья Google ученый
Чаттопадхьяй А., Кунду А., Саркар К.К., Бозе К. (2020) Двумерное моделирование градуированного канала FinFET с перекрытием. Журнал вычислительной электроники 19 (2): 688–699. https://doi.org/10.1007/s10825-020-01458-w
Статья КАС Google ученый
Liang X, Taur Y (2004) Двухмерное аналитическое решение для SCE в DG MOSFET. Трансэлектронные устройства IEEE 51 (9): 1385–1391.
https://doi.org/10.1109/TED.2004.832707Статья КАС Google ученый
Басак А., Саркар А. (2020) Моделирование тока стока асимметричного беспереходного полевого МОП-транзистора с двойным затвором и двойным затвором с высоким коэффициентом K для аналоговых и радиочастотных характеристик. Кремний. https://doi.org/10.1007/s12633-020-00783-w
Статья Google ученый
Ролдан Дж. Б., Гамис Ф., Лопес-Вильянуэва Дж. А., Карселлер Дж. Э. (1997) Моделирование эффектов превышения скорости электронов в МОП-транзисторах. IEEE Transactions on Electron Devices 44(5):841–846
Статья Google ученый
Чен Ю.Г., Куо Дж.Б., Ю З., Даттон Р.В. (1995) Аналитическая модель тока стока для короткоканальных полностью обедненных ультратонких МОП-приборов на основе кремния в изоляторе.
Solid State Electron 38(12):2051–2057Статья КАС Google ученый
Сакураи Т., Ньютон А.Р. (1990) Модель МОП-транзистора с альфа-степенным законом и ее приложения к задержке инвертора КМОП и другим формулам. IEEE Journal of Solid-State Circuits 25(2):584–594
Статья Google ученый
Bhattacharyya AB (2009) Компактные модели MOSFET для проектирования СБИС. Wiley, Нью-Йорк
Книга Google ученый
Yang YT, Callegari C, Feng XL, Ekinci KL, Roukes ML (2006) Наномеханическое определение массы в масштабе зептограммы. Письма о нанотехнологиях 6 (4): 583–586. https://doi.org/10.1021/nl052134m
Артикул КАС Google ученый
Go J, Nair PR, Alam MA (2012) Теория сигнала и шума в наноразмерных электронных датчиках pH с двойным затвором. Журнал прикладной физики 112:034516. https://doi.org/10.1063/1.4737604
Статья КАС ПабМед Центральный Google ученый
Ионеску-Занетти С., Невилл Дж.Т., Карло Д.Д., Чон К.Х., Ли Л.П. (2006) Конденсаторы с нанозазором: чувствительность к изменениям диэлектрической проницаемости образца. Journal of Applied Physics 99:024305–024309
Статья Google ученый
Скачать ссылки
Благодарности
Мы хотели бы поблагодарить Департамент ETCE Университета Джадавпур за их постоянную поддержку в предоставлении доступа к лаборатории.
Финансирование
Для этой работы нет финансирования.
Информация об авторе
Авторы и организации
Департамент ETCE, Джадавпурский университет, 188, Raja S.
C. Mallick Rd, Kolkata, 700032, Западная Бенгалия, Индия0011Отделение ECE, Инженерно-технологический колледж Св. Томаса, 4, Diamond Harbour Road, Kidderpore, Kolkata, 700023, Западная Бенгалия, Индия Назирабад роад, Учхепота Юг 24 Парганас, Калькутта, 700150, Западная Бенгалия, Индия
Манаш Чанда
Авторы
- Рахул Дас
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия
- Ankush Chattopadhyay
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Manash Chanda
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Chandan K. Sarkar
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
- Чаяника Бозе
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Вклады
Рахул Дас: концептуализация, методология, программное обеспечение, обработка данных, написание, рецензирование.
Ankush Chattopadhyay: Программное обеспечение, написание — подготовка первоначального проекта, методология, рецензирование и редактирование. Манаш Чанда: концептуализация, рецензирование и редактирование. Чандан К. Саркар: Надзор. Чаяника Бозе: концептуализация, методология, надзор, исправление рукописи, рецензирование и редактирование.
Декларации этики
Конкурирующие интересы
Авторы заявляют, что у них нет известных конкурирующих финансовых интересов или личных отношений, которые могли бы повлиять на работу, представленную в этой статье.
Одобрение этики
Для этого типа исследования формальное согласие не требуется.
Согласие на участие
Не применимо для этого типа исследования.
Согласие на публикацию
Не применимо для данного типа исследования.
Исследования с участием людей и/или животных
Неприменимо для этого типа исследований.
Информированное согласие
Не применимо для этого типа исследования.

Запись о его крещении под фамилией отца была отменена, и вместо этого его записали под именем первого мужа матери, немца по фамилии Foeth. Это событие наложило сильный отпечаток на формирование характера будущего писателя.
Хорошие отзывы были размещены в нескольких популярных изданиях, включая «Современник» и «Отечественные записки».
Эта неизвестность в дальнейшем сильно повлияла на жизнь Афанасия Афанасьевича.
Писатель на тот момент просто не мог позвать ее замуж, так как он не был богат, да и у несостоявшейся невесты не было приданого. Всю свою жизнь Афанасий Афанасьевич винил себя в ее смерти.
Журнал FASEB 19(10): 1355–1337. https://doi.org/10.1096/fj.04-2098fje
В: Международная конференция по новой электронике, 2012 г., Мумбаи, стр. 1–4 9.0011
Транзакции IEEE на электронных устройствах 57 (12): 3477–3484. https://doi.org/10.1109/TED.2010.2076152
https://doi.org/10.1109/TED.2004.832707
Solid State Electron 38(12):2051–2057
C. Mallick Rd, Kolkata, 700032, Западная Бенгалия, Индия0011