Афанасий Фет: биография, некролог, причины смерти

Биография и эпизоды жизни Афанасия Фета. Когда родился и умер Афанасий Фет, памятные места и даты важных событий. Цитаты поэта, фото и видео.

Афанасий Фет

родился 5 декабря 1820
умер 21 ноября 1892 Годы жизни Афанасия Фета

Эпитафия

«Шепчутся тихие волны,
Шепчется берег с другим,
Месяц колышется полный,
Внемля лобзаньям ночным.
В небе, в траве и в воде
Слышно ночное шептание,
Тихо несется везде:
„Милый, приди на свидание...”».
Стихотворение Александра Блока, посвященное памяти Афанасия Фета

Афанасий Фет

Знаменитый русский поэт Афанасий Фет стал ярким представителем чистой поэзии, сделав главными темами своего творчества любовь и природу.

Рождение

Едва ли не всю свою жизнь Фет пытался вернуть себе титул дворянина и право на наследство. Все началось с того, что мать будущего поэта — Шарлотта-Елизавета Беккер — будучи беременна им завела бурный роман с помещиком Афанасием Шеншиным, когда тот пребывал на отдыхе в Дармштадте. Беременность не остановила влюбленных, они втайне от всех переехали в Россию. Здесь же, в имении любимого Шарлотта рожает, а ребенка записывают как сына Афанасия Неофитовича Шеншина. Но венчание Шарлотты Беккер с Шеншиным состоялось лишь спустя два года — после того, как она приняла православие.

Борьба за титул

В четырнадцатилетнем возрасте Афанасий получает первый удар судьбы, когда обнаруживается, что он был рожден вне брака. В результате его лишают дворянства, русского подданства, фамилии и вместе с тем положения в обществе.

Желая восстановить справедливость и отвоевать свое право на наследство, Фет решается поступить в кирасирский полк. По существующим тогда законам, уже через шесть месяцев службы можно было получить офицерский чин, а вместе с ним вернуть и столь желаемое дворянство. Однако неудачи продолжают преследовать юного Фета: в России издается указ, по которому получить дворянский титул могут только старшие офицеры, прослужившие не менее 15 лет.

Афанасий Фет с супругой Марией Боткиной

Творческий путь

Первые попытки стихотворчества Фет предпринял в юном возрасте, когда находился в немецком пансионе Крюммера. Когда же поэту было около 20 лет, выходит в свет «Лирический пантеон» — первый сборник стихов Афанасия Фета. Далее следуют публикации в таких журналах, как «Отечественные записки», «Москвитянин».

В 1846 году писатель получает первое офицерское звание. Второй сборник произведений Фета получает хвалебные отзывы от критиков, но радость от успеха была омрачена гибелью его возлюбленной Марии Лазич. Русский поэт посвящает почившей любимой ряд стихов и поэму «Талисман».

Вместе со своим полком Фет был расквартирован под Санкт-Петербургом, где познакомился с Гончаровым, Некрасовым, Тургеневым. Именно под редакцией последнего выходит третий сборник Фета

Устав от попыток вернуть себе дворянство, поэт уходит в отставку. Вместе с женой Марией Петровной — сестрой знаменитого в то время критика Боткина — переезжает в Москву.

Много лет спустя, когда свет увидел двухтомный сборник поэтических произведений Фета, ему все-таки возвращают титул дворянина, а вместе с тем и фамилию Шеншин. Но поэт решает не менять свой литературный псевдоним и подписывается под своими стихами фамилией Фет вплоть до самой смерти.

Причина смерти

Официальная дата смерти Фета — 21 ноября 1892 г.

Хоть причиной смерти Афанасия Фета был назван сердечный приступ, биографы предполагают, что он мог покончить жизнь самоубийством.

В селе Клейменова прошли похороны Фета. До сих пор здесь, в родовом имении Шеншиных покоится прах знаменитого русского поэта.

Могила Фета в селе Клейменово, Орловская область

Линия жизни

5 декабря 1820 г. Дата рождения Афанасия Афанасьевича Фета (Шеншина).
1835 г. Поступление в немецкий частный пансион Крюммера в Верро (Эстония).
1837 г. Поступление в Московский университет.
1840 г. Выход сборника стихотворений Фета «Лирический пантеон».
1845 г. Поступление на службу в кирасирский Военного ордена полк.
1850 г. Выход второго сборника поэзии Афанасия Фета.
1853 г. Переезд в Петербург по службе.
1857 г. Брак с Марией Боткиной.
1857 г. Отставка в чине гвардейского штабc-ротмистра и переезд в Москву.
1867 г. Назначение на должность мирового судьи.
21 ноября 1892 г. Дата смерти Фета.

Памятные места

1. Село Новоселки в Орловской области, где родился Афанасий Фет.
2. Город Выру в Эстонии, где учился юный поэт.
3. Московский государственный университет, где учился Фет.
4. Балтийский порт, где отбывал службу Фет.
5. Село Клейменово, где похоронен Афанасий Фет.
6. Усадьба-музей Фета в 1-й Воробьевке Курской области.
7. Памятник Фету в Орле (возле писательского дома на ул. Салтыкова-Щедрина).

Эпизоды жизни

• За оригинальный стиль изложения Афанасия Фета прозвали представителем чистой поэзии и, разумеется, одним из лучших поэтов лирического жанра. Интересно то, что в одном из самых показательных его стихотворений — «Шёпот, робкое дыханье…» — не использован ни один глагол. При этом в столь статичном, казалось бы, описании прекрасно отражено движение времени.

• Первая любовь Афанасия Фета связана с именем молодой прекрасно образованной аристократки Марии Лазич. Некоторое время влюбленные поддерживали отношения, не выходящие за рамки легкого флирта, но Фет, несмотря на очевидные сантименты по отношению к Марие, принял решение никогда на ней не жениться. Вскоре их союз распался, а незадолго после этого Лазич трагически погибла вследствие пожара. Последние ее слова были адресованы Афанасию. Сам же поэт переживал потерю долго и мучительно. До конца жизни он жалел, что их брак так и не состоялся.

Завет

«Душа дрожит, готова вспыхнуть чище,
Хотя давно угас весенний день
И при луне на жизненном кладби́ще
 Страшна и ночь, и собственная тень».

Афанасий Фет

Документальный фильм об Афанасии Фете

Соболезнования

«…Тянулась эта мучительная болезнь почти без улучшения. Остроумов говорил, что в 72 года трудно ждать выздоровления, но мы с Марьей Петровной все надеялись. Помню, П. П. Боткин, навещая несколько раз больного, говорил Марье Петровне, что надо бы причастить Афанасия Афанасьевича. Но Марья Петровна каждый раз решительно говорила: “Ради Бога, не говорите ему этого; он рассердится, и ему будет хуже; он не верит в обряды; я уж беру на себя этот грех и буду молиться об нем сама”».

Екатерина Кудрявцева, секретарь Афанасия Фета

«…Сердце разрывалось, глядя, как с каждым часом мой дорогой Афанасий Афанасьевич уходил от нас все дальше и дальше. „Я гасну, как лампа”, — говорил он».

Мария Шеншин, супруга

Ссылки

• Биография Афанасия Фета в «Википедии»
• Афанасий Фет на культурном портале «Эксперимент»
• Собрание сочинений Фета

---

Где купить или заказать

🍴 Недорогие кафе для поминок
☦️ Гранитные мастерские Москвы и РФ
🌼 Уборка и уход за могилами
💎 Иконы, амулеты, экстрасенсы

Афанасий Афанасьевич Фет, биография

Биография Афанасия Афанасьевича Фета

 

Год и дата	Место и событие
1835 — 1837	Обучался в немецком пансионе.
1844	Окончил словесное отделение Московского университета. Во время обучения сблизился с Апполоном Григорьевым и студентом юридического факультета Яковом Полонским.
1840	Литературный дебют. Первый сборник – «Лирический пантеон».
1845	Поступил на военную службу унтер-офицером в кирасирский полк, который находился в Херсонской губернии.
1850	Вышел сборник стихотворений, который засвидетельствовал появление оригинального таланта. Благодаря этому сборнику он сблизился с литераторами Москвы и редакцией журнала «Современник», в частности с – И. Тургеневым, Л. Толстым, И. Гончаровым, критиками П. Анниковым и А. Дружининым. Сборник имел успех, но непродолжительный.
1863	Двухтомное издание, которые было итогом 25-ти летней работы автора, было поддано резкой критике, которая повредила репутации поэта.
60-70-е	Фет прекратил издание произведений, этому поспособствовали критичные отзывы о нем со стороны представителей революционно-демократического лагеря и пародирование стихотворений поэта.
1867-1877	Почти не писал стихотворений, но увлекся философией. Его интересовали идеи Шопенгауэра, и это увлечение не покидало Фета всю жизнь. Поэт переводил много произведений А. Шопенгауэра, в частности главный его труд – «Мир как воля и представление».
1870-1880	Перевел множество шедевров мировой классики – «Фауст», произведения Горация, «Сатурн» Ювенала, «Стихи» Катулла, «Энеиду» Вергилия и др. За переводческую деятельность его избрали членом – корреспондентом Российской Академии наук.
1883-1891	Выход в свет четырех сборников оригинальных стихотворений «Вечерние огни». Сюда вошли произведения, которые не печатались или были написаны после 1865 года. Мотивы любви, пейзажные зарисовки являются центральными в последних сборниках, но они более чем предыдущие, проняты философским мировосприятием.

Кроме биографии Афанасия Афанасьевича Фета прочитайте:

• Анализ стихотворения А. А. Фета «Шепот, робкое дыханье…»
• «Первый ландыш», анализ стихотворения Фета
• «Буря», анализ стихотворения Фета
• «Весенний дождь», анализ стихотворения Фета
• «Сияла ночь. Луной был полон сад», анализ стихотворения Фета
• «Бабочка», анализ стихотворения Фета
• «Какая ночь! Как воздух чист…», анализ стихотворения Фета
• «Осень», анализ стихотворения Фета
• «Осенняя роза», анализ стихотворения Фета
• «Ласточки пропали…», анализ стихотворения Фета
• «Старые письма», анализ стихотворения Фета
• «Печальная береза…», анализ стихотворения Фета
• «Майская ночь», анализ стихотворения Фета
• «Смерти», анализ стихотворения Фета
• «Музе», анализ стихотворения Фета

По писателю: Фет Афанасий Афанасьевич

Графитовый нитрид углерода и IGZO Bio-FET для экспресс-диагностики инфаркта миокарда

. 2022 7 октября; 12 (10): 836.

дои: 10.3390/биос12100836.

Валаа Хушайм ¹ , Мани Теджа Виджапу ^{1 2} , Сараванан Ювараджа ¹ , Вираппан Мани ¹ , Халед Набиль Салама

1

Принадлежности

• ¹ Лаборатория датчиков, Центр перспективных мембран и пористых материалов, Отдел компьютерных, электрических и математических наук и инженерии, Университет науки и технологий имени короля Абдуллы (KAUST), Тувал 23955-6900, Саудовская Аравия.
• ² Подразделение сенсорных систем, Silicon Austria Labs (SAL), High Tech Campus, 9524 Филлах, Австрия.

• PMID: 36290972
• PMCID: PMC9599297
• DOI: 10.3390/биос12100836

Бесплатная статья ЧВК

Валаа Хушайм и др. Биосенсоры (Базель). 2022 .

Бесплатная статья ЧВК

. 2022 7 октября; 12 (10): 836.

дои: 10.3390/биос12100836.

Авторы

Валаа Хушайм ¹ , Мани Теджа Виджапу ^{1 2} , Сараванан Ювараджа ¹ , Вираппан Мани ¹

, Халед Набиль Салама ¹

Принадлежности

• ¹ Лаборатория датчиков, Центр перспективных мембран и пористых материалов, Отдел компьютерных, электрических и математических наук и инженерии, Университет науки и технологий имени короля Абдуллы (KAUST), Thuwal 23955-6900, Саудовская Аравия.
• ² Подразделение сенсорных систем, Silicon Austria Labs (SAL), High Tech Campus, 9524 Филлах, Австрия.

• PMID: 36290972
• PMCID: PMC9599297
• DOI: 10.3390/биос12100836

Абстрактный

Острый инфаркт миокарда (ОИМ), широко известный как сердечный приступ, представляет собой опасное для жизни состояние, ежегодно уносящее миллионы жизней. В этом исследовании биосенсор на основе транзисторов разработан для быстрого и чувствительного обнаружения сердечного тропонина-I (cTnI), диагностического биомаркера ОИМ. Метод биосенсора, основанный на полевом транзисторе (FET), который использует оксид индия-галлия-цинка (IGZO) в качестве превосходного полупроводникового канала, интегрирован с нанолистовыми материалами для обнаружения cTnI. Пористый нитрид углерода (PCN), декорированный наночастицами золота (Au NP), используется в качестве моста между твердотельным устройством и элементом биораспознавания. Мы демонстрируем, что этот биосенсор обладает высокой чувствительностью и имеет экспериментальный предел обнаружения 0,0066 нг/мл и динамический диапазон от 0,01 нг/мл до 1000 нг/мл. Это первое сообщение о полупроводниковом датчике сердечного биомаркера на оксиде металла FET в сочетании с PCN для обнаружения cTnI. Сообщенная компактная микросистема прокладывает путь к быстрому и недорогому обнаружению сердечных биомаркеров.

Ключевые слова: ИГЗО; острый инфаркт миокарда; сердечно-сосудистые заболевания; полевой транзистор; графитовый нитрид углерода.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Цифры

Рисунок 1

Схема изготовленного PCN-Au…

Рисунок 1

Схема изготовленного аптасенсора PCN-Au NPs IGZO TFT для обнаружения cTnI (поперечное сечение)…

Рисунок 1

Схема изготовленного IGZO TFT аптасенсора на основе PCN-Au для обнаружения cTnI (поперечное сечение) с IGZO в качестве канала, PCN-Au NPs в качестве активного чувствительного слоя и Ti/Au в качестве электродов истока и стока транзистора.

Рисунок 2

( a ) Процедура синтеза…

Рисунок 2

( a ) Процедура синтеза НЧ PCN-Au, ( b ) ПЭМ и…

фигура 2

( a ) Процедура синтеза наночастиц PCN-Au, ( b ) ПЭМ и ( c ) XPS-анализ наночастиц PCN-Au.

Рисунок 3

( a ) Схема…

Рисунок 3

( a ) Схема изготовленных PCN-Au NP IGZO FET (сечение) с…

Рисунок 3

( a ) Схема изготовленного IGZO FET PCN-Au NP (поперечное сечение) с PCN-Au NPs IGZO в качестве канала и активного чувствительного слоя и Ti / Au в качестве электродов истока и стока транзистора. ( b ) АСМ-изображение НЧ PCN-Au со средней шероховатостью 1,47 нм. ( c ) Изображения сканирующей электродной микроскопии (SEM) канала PCN-Au NP IGZO FET. ( d ) ПЭМ-изображения различных слоев стека устройств. ( e ) EDS для PCN-Au NP IGZO FET.

Рисунок 4

( a ) Выходные характеристики…

Рисунок 4

( a ) Выходные характеристики IGZO при различных напряжениях смещения. ( б…

Рисунок 4

( a ) Выходные характеристики IGZO при различных напряжениях смещения. ( b ) Выходные характеристики IGZO и IGZO NP PCN-Au при постоянном напряжении смещения.

Рисунок 5

( и ) Сравнение…

Рисунок 5

( и ) Сравнение кривых выхода аптамера для IGZO PCN-Au NP…

Рисунок 5

( a ) Сравнение выходных кривых аптамера для наночастиц IGZO PCN-Au и наночастиц IGZO PCN-Au при постоянном напряжении смещения. ( b ) Обнаружение аналита cTnI в различных концентрациях (от 1,0 нг/мл до 1,0 мкг/мл) с использованием биосенсора Au/PCN-FET при развертке V _D 0–8 В с V _SG = 15 В. ( c ) Калибровка относительной кривой отклика биосенсора I _DS при различных концентрациях cTnI, показывающая LOD и чувствительность = Δ Drain Current / Δ cTnI конц. (г/мл) = наклон калибровочной кривой, м. ( d ) Относительные изменения в I _DS для 10 нг/мл cTnC, миоглобина, холестерина и глюкозы (некомплементарные контрольные аналиты) по сравнению с 10 нг/мл целевого белка cTnI.

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

.

Похожие статьи

• Безметочный аптасенсор FET на основе наночастиц Au, украшенных наностержнями Co ₃ O ₄ , и слоем ОУНТ для обнаружения сердечного белка тропонина Т.

  Сурья С.Г., Маджи С.М., Агарвал Д.К., Лахсен А.А., Ювараджа С., Чаппанда К.Н., Салама К.Н. Сурья С.Г. и соавт. J Mater Chem B. 7 января 2020 г .; 8 (1): 18–26. дои: 10.1039/c9tb01989h. Epub 2019 29 ноября. J Mater Chem B. 2020. PMID: 31782481

• Полностью интегрированный детектор газа индий-галлий-цинк NO ₂ .

  Виджапу М.Т., Сурья С.Г., Ювараджа С., Чжан С., Альшариф Х.Н., Салама К.Н. Виджапу М.Т. и др. ACS Sens. 24 апреля 2020 г .; 5 (4): 984–993. doi: 10.1021/acssensors.9b02318. Epub 2020 24 февраля. АКС Сенс. 2020. PMID: 32091191

• КМОП-совместимые биосенсоры на основе кремниевых нанопроволок без меток для обнаружения сердечного тропонина I для диагностики острого инфаркта миокарда.

  Конг Т., Су Р., Чжан Б., Чжан К., Ченг Г. Конг Т. и др. Биосенс ​​Биоэлектрон. 2012 15 апреля; 34 (1): 267-72. doi: 10.1016/j.bios.2012.02.019. Epub 2012 19 февраля. Биосенс ​​Биоэлектрон. 2012. PMID: 22386490

• Обзор технологии полевых транзисторов на основе наноматериалов для обнаружения биомаркеров.

  Саедморади Л., Ахмади А., Нортон М.Л., Омидфар К. Syedmoradi L, et al. Микрохим Акта. 2019 1 ноября; 186 (11): 739. doi: 10.1007/s00604-019-3850-6. Микрохим Акта. 2019. PMID: 31677098 Обзор.

• Электрохимические стратегии обнаружения cTnI.

  Юань З., Ван Л., Чен Дж., Су В., Ли А., Су Г., Лю П., Чжоу С. Юань Зи и др. Аналитик. 2021 13 сентября; 146(18):5474-5495. doi: 10.1039/d1an00808k. Аналитик. 2021. PMID: 34515706 Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Рекомендации

1. 1. Фогель Б., Асеведо М., Аппельман Ю., Мерц К.Н.Б., Чиффо А., Фигтри Г.А., Герреро М., Кунадиан В., Лам К.С., Маас А.Х. Комиссия Lancet по женщинам и сердечно-сосудистым заболеваниям: снижение глобального бремени к 2030 г. Ланцет. 2021;397:2385–2438. doi: 10.1016/S0140-6736(21)00684-X. — DOI — пабмед
2. 1. Мани В. , Дурмус К., Хушаим В., Феррейра Д.К., Тимур С., Ардуини Ф., Салама К.Н. Методы мультиплексного зондирования биомаркеров сердечно-сосудистых заболеваний — обзор. Биосенс. Биоэлектрон. 2022;216:114680. doi: 10.1016/j.bios.2022.114680. — DOI — пабмед
3. 1. Обратный отсчет N. Обратный отсчет НИЗ до 2030 г.: мировые тенденции смертности от неинфекционных заболеваний и прогресс в достижении задачи 3.4 Целей в области устойчивого развития. Ланцет. 2018; 392:1072–1088. doi: 10.1016/S0140-6736(18)31992-5. — DOI — пабмед
4. 1. Хушаим В. , Перамайя К., Бедук Т., Виджапу М.Т., де Оливейра Филью Дж.И., Хуанг К.-В., Мани В., Салама К.Н. Встроенный биосенсор из пористого графитового нитрида углерода для чувствительного обнаружения сердечного тропонина I. Biosens. Биоэлектрон. Х. 2022; 12:100234. doi: 10.1016/j.biosx.2022.100234. — DOI
5. 1. Каптоге С., Пеннеллс Л., Де Баккер Д., Куни М.Т., Кавуси М., Стивенс Г., Райли Л.М., Савин С., Хан Т., Алтай С. Карты риска сердечно-сосудистых заболеваний Всемирной организации здравоохранения: пересмотренные модели для оценки риска в 21 глобальном регионе. Ланцет Глоб. Здоровье. 2019;7:1332–1345. doi: 10.1016/S2214-109X(19)30318-3. — DOI — ЧВК — пабмед

термины MeSH

вещества

Грантовая поддержка

• NA / Университет науки и технологий имени короля Абдаллы
• Инициатива NA/KAUST в области умного здоровья

1960: Демонстрация металлооксидно-полупроводникового (МОП) транзистора | Кремниевый двигатель

Джон Аталла и Давон Кан изготавливают работающие транзисторы и демонстрируют первый успешный полевой МОП-усилитель.

В 1959 году М. М. (Джон) Аталла и Давон Канг в Bell Labs создали первый успешный полевой транзистор с изолированным затвором (FET), который давно ожидали Лилиенфельд, Хейл, Шокли и другие (1926 Milestone), преодолев «поверхностные состояния», которые блокировали проникновение электрических полей в полупроводниковый материал. Исследуя термически выращенные слои диоксида кремния, они обнаружили, что эти состояния могут быть заметно уменьшены на границе раздела между кремнием и его оксидом в сэндвиче, состоящем из слоев металла (M — затвор), оксида (O — изоляция) и кремния (S — затвор). полупроводник) — отсюда и название MOSFET, широко известное как MOS. Поскольку их устройство было медленным и не отвечало насущным потребностям телефонной системы, оно не получило дальнейшего развития. В 19Однако в меморандуме 61 Канг указал на его потенциальную «простоту изготовления и возможность применения в интегральных схемах». Но исследователи Fairchild и RCA признали эти преимущества. В 1960 году Карл Зайнингер и Чарльз Мюллер изготовили МОП-транзистор в RCA и C. T. Сах из Fairchild построил тетрод с МОП-управлением. Фред Хейман и Стивен Хофштейн последовали за ними в 1962 году, представив экспериментальное 16-транзисторное интегрированное устройство в RCA.

Проводящая область МОП-транзистора либо p-type (что делает его « p-channel «) или n-type (« n-channel » устройство). Последние быстрее, чем p-channel, но их сложнее сделать. Устройства МОП появились на коммерческом рынке в 1964 году. General Microelectronics (GME 1004) и Fairchild (FI 100) предлагали p-канальные устройства для логических и коммутационных приложений; RCA представила n-канальный транзистор (3N98) для усиления сигналов. Из-за их меньшего размера и меньшего энергопотребления, чем биполярные устройства, более 99 процентов производимых сегодня микросхем используют МОП-транзисторы. Достижение такого повсеместного распространения заняло десятилетия усилий. (Веха 1964 года)

Предыдущая веха Следующая веха

• Канг, Давон, «Полупроводниковое устройство, управляемое электрическим полем», , патент США № 3,102,230 (подана 31 мая 1960 г. , опубликована 27 августа 1963 г.).
• Канг, Давон. «Поверхностные устройства, индуцируемые полем кремния и диоксида кремния», Технический меморандум, выпущенный Bell Labs (16 января 1961 г.), перепечатанный в Sze, S.M. Полупроводниковые устройства: новаторские статьи . (Сингапур: World Scientific Publishing Co., 1991), стр. 583–596.
• Sah, CT, «Новый полупроводниковый триод, транзистор, управляемый поверхностным потенциалом», Proceedings of the IRE , Vol. 49, №11 (19 ноября61) стр. 1623-1634.
• Хофштейн, С.Р. и Хейман, Ф.П., «Полевой транзистор с кремниевой изоляцией затвора», Proceedings of the IEEE , Vol. 51 (сентябрь 1963 г.), стр. 1190–1202.

• Atalla, M.M. et al., «Стабилизация поверхностей кремния термически выращенными оксидами», Bell System Technical Journal , Vol. 38 (май 1959 г.), стр. 749-783.
• Аугартен, Стан. «Новая форма транзистора», Современное состояние: фотографическая история интегральной схемы .